1957年，刚毕业不久的陈启秀，被指定与阙端麟老师一起参与半导体材料与器件专业的建设。当时的教学计划是参考苏联的教学大纲，但很多教材却是美国的原版，所以老师们只能自己边翻译边学习。为了教给学生，他们要自己先学，通俗地说就是“现学现卖”。陈启秀白天有行政工作，自学与备课一般都在晚上，几乎每天学习到凌晨两点。生物钟似乎有了定时功能，每晚看书看到困了时，一看表，“啊！又2点了，睡觉！”
半导体专业离不开材料，而限于当时国际上的技术封锁，我国的半导体材料几近于无。“当时想，要办好专业就不能慢慢来，要有赶超精神。而要搞半导体，没有材料不行，所以我们抓了材料的研究。
由于研究条件很差，阙端麟老师提出用SiH4法制备高纯硅的课题，可以说是从‘摇玻璃瓶’起家的。”经过不懈的努力，老师们陆续完成了SiH4法制取多晶硅的试验，拉制单晶硅的研究，硅外延的研究，建立起半导体材料车间等。浙大半导体专业的硅材料研究到这时已在国内具有很高的知名度和研究特色。
正是由于这一出色的研究成果，浙大在1979年将半导体专业的材料部分并入新成立的浙大材料工程系。
20世纪70年代末，陈启秀看到了关于用V型槽的结构制造MOS-FET的科学研究报道，发现可以把MOS-FET从处理小信号做到处理大功率交换。它会否是MOS-FET划时代的进步？于是陈启秀立即组织团队进行研究。当时来访的美国教授参观实验室后，指出V-MOSFET项目在美国也是刚刚起步。经过2年通宵达旦、日以继夜的研究，陈启秀带领着团队顺利完成了这个项目，并且拿到了中科院的“科技进步二等奖”。这在当时是一项比较有影响的事件，校刊、人民画报、解放日报等均进行了报道。随后，他们又进行了VD-MOSFET和IGBT等大功率器件的研究，并将V-MOSFET的成果推广到企业。研究引起了一些企业的重视，菱湖晶体管厂出资建成了微电子楼，助推了浙江大学半导体科研的发展。
2015年7月，经教育部等六部门联合发文，浙江大学微电子学院批准为首批国家示范性微电子学院。