题目：扫描隧道显微学在二维材料中的应用
报告人：吴克辉
地点：腾讯会议：192-237-264
时间：12月2日，周五，15:30-16:30
摘要：
二维材料的出现，是人们对于材料制备的控制能力不断提高，最终实现仅有一个或几个原子单层的材料的结果。以石墨烯、过渡金属硫族化合物(TMD)、黑磷、硼烯等为代表的二维材料展现出谷光电子学、量子霍尔效应、层间激子、电子平带和关联效应等低维下的新奇量子现象，为设计未来电子器件提供了很多可能。由于二维材料具有原子级平整的形貌，多数原子暴露于材料表面，使得扫描隧道显微镜用于研究二维材料的结构、电子态和量子效应能够充分发挥优势。过去十多年，课题组坚持在仪器设备上的自主研发和创新。发展了低温扫描隧道显微镜（STM）、低温STM-针尖增强拉曼光谱（TERS）、太赫兹STM、超高真空原位二维剥离堆垛系统，等一系列分析技术和设备。本报告将简单介绍二维材料和STM的技术前沿，并介绍我们几个近期的工作，包括超薄二维半导体中的量子态调控，单极化子的产生和超控等。
个人简介：
吴克辉，中科院物理研究所研究员，1995年浙江大学物理系毕业，2000年在中科院物理所获得博士学位，其后在日本东北大学金属材料研究所从事任博士后及助理教授工作，2004年10月回国。现任物理所表面室9组课题组长，中国科学院大学岗位教授。主要研究方向为：低维量子材料的制备与物性、扫描隧道显微技术、分子束外延生长、表面物理化学。已发表SCI论文170多篇，论文总引用超过1.1万次(google scholar)，h因子44。
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